| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | IPD053N08N3 G |
| 说明 | 功率MOSFET 6.5mm |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 2500 |
| 最小包 | 2500 |
| 现货 | 5201 [库存更新时间：2025-04-11] |
| 通道数量 | 1Channel |
| 漏源极电压Vds | 80V |
| 连续漏极电流Id | 90A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.4mΩ |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| Qg-栅极电荷 | 69nC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散(Max) | 150W |
| 高度 | 2.3mm |
| 长度 | 6.5mm |
| FET类型 | N-Channel |
| 宽度 | 6.22mm |
| 正向跨导 - 最小值 | 56S |
| 下降时间 | 10ns |
| 上升时间 | 66ns |
| 典型关闭延迟时间 | 38ns |
| 典型接通延迟时间 | 18ns |
| 工作温度 | -55°C~175°C |
IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 13172425630
芯普拉斯产品中心
productsIPD053N08N3 G
咨询热线：13172425630
产品概述
相关产品